化学气相淀积方法是半导体研究界和产业界中应用最为广泛的用于制备薄膜材 料的常用方法之一，可制备的薄膜材料包括大多数半导体薄膜、介质薄膜、金属及合 金薄膜。
随着半导体器件性能的提高，对于材料的质量要求也随之提高。

对于CVD材料 生长设备来说，要获得高质量的材料，首先必须保证作为反应物的气源由源区至反应 区的输运及控制过程中的纯度，即保证整个配气气路的气密性。目前，CVD材料生 长设备的配气气路一般采用卡套式管接头或VCR接头来实现输气管道、控制元件之 间的密封连接。

VCR接头气密性比较好，安装拆卸方便，但价格较贵。为降低实验及生产成本， 常采用卡套式管接头实现气路的密封连接。卡套式管接头具有结构简单、重量轻、体 积小、使用方便、不用焊接，而且具有良好的耐压性、耐振动性、耐热性及可靠的密 封性，价格远低于VCR接头。

采用卡套式管接头进行气路连接，成本较低的同时又 能保证连接处的气密性，但安装时就必须从整个气路的一端开始逐个安装到另一端， 固定一端接头体后插入长度合适的金属管并固定卡套，再安装另一端的卡套及接头体 并固定接头体和卡套；需要修理或拆卸时也必须从整个气路的某一端丌始拆卸到需要 检修或替换的部件为止。

这就给配气装置的气路维护带来了很大的不便，尤其是当气 路中的某一个控制元件需要替换时，就必须从气路的一端开始到需要替换的部件为 止，将其间的气路管道和控制元件全部依次拆卸。

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